Granice i bariery rozwoju
Nanotechnologie – Granice i bariery rozwojuPrzyczyny nasycania się krzywej logistycznej: brak wiedzy, zmiana zainteresowań, ograniczenia technologiczne, ograniczenia ekonomiczne
Hierarchia ograniczeń: fundamentalne, przyrządowe, materiałowe, układowe, systemowe
Problemy skalowania tranzystora MOS:
(a) upływność prądu w stanie wyłączenia Ioff I drenu, I bramki)
(b) niewspółmierny do skalowania wzrost prądu nasycenia Idsat (małe ruchliwości nośników, rezystancje szeregowe)
(c) rozrzut wartości VT
(d) niewspółmierny do skalowania wzrost szybkości (C i R pasożytnicze, parametry transportu nośników)
Ograniczenia fundamentalne: im większa szybkość działania sprzętu, tym bliżej musi być umiejscowiona pamięć, z której układ będzie korzystał, w pewnym momencie wymagana odległość okaże się mniejsza niż wielkość chipu, w którym znajduje się układ; wykonanie pojedynczej operacji logicznej wymaga energii; zatem w ciągu sekundy można wykonać maksymalnie: operacji; do ograniczeń należy też ilość zużywanej mocy przez komputer, w pewnym momencie okaże się, że obecne systemy chłodzenia nie dadzą rady odprowadzić ilości ciepła wytwarzanej w układach;
Ograniczenia przyrządowe: zastosowanie w tranzystorach warstwy krzemu SOI pozwala na zmniejszenie długości bramki; jednak wymaga się aby warstwa krzemu była w jak największym stopniu gładka, co już jest zadaniem niełatwym; innymi sposobami jest budowa tranzystora trójbramkowego lub tranzystora trójwymiarowego (bramka i metal są owinięte wokół rurki, która jest drenem i źródłem)
12.12.2008. 11:26
W internecie można znaleźć mnóstwo różnych stron. Naszym zdaniem ta jest naprawdę dobra cukrzyca. Inną stroną, którą warto odwiedzić jest Pozycjonowanie stron, Z pewnością zainteresuje Cię ta strona gry akcji. Nie zapomnij odwiedzić rejestracja spółki. Ta witryna także jest ciekawa Prezenty 18.Spis treści
- Granice i bariery rozwoju
- Modyfikacje warstw
- Ultracienkie warstwy
- Rozdzielczość układów optycznych
- Techniki litograficzne