Modyfikacje warstw
MODYFIKACJE:- PLE (Phase-Locked Epitaxy) warstwy GaAs i AlAs nanoszone na przmian.
-Surfactant Assisted Growth - w celu minimalizacji temp podłożą wspomaga się wzrost związkami powierzchniowo czynnymi.
- MOMBE (Metalorganic MBE), - CBE (Chemical Beam Epitaxy),
- MEE (Migration Enhanced Epitaxy), -ALE (Atomic Layer Epitaxy),
-OMCVD (Organometallic CVD) – Związki organometaliczne: związki, w których atomy metalu są bezpośrednio związane z atomami węgla.
- MOCVD (Metalorganic CVD) – Związki metaloorganiczne: zasadniczo związki zawierające atomy metalu przyłączone do organicznych rodników. Wariant krystalizacji warstw z fazy gazowej wykorzystujący jako prekursory związki metaloorganiczne. Synteza materiału (w postaci mono-, polikrystalicznej bądź amorficznej) następuje w wyniku reakcji chemicznych pomiędzy lotnymi reagentami metaloorganicznymi zawierającymi składniki krystalizowanej warstwy.
MOZLIOWSCI: - diody (tunelowe, Gunna, PIN, rezonansowo-tunelowe, Schottky’ego, elektroluminescyjne), tranzystory polowe (np.HEMT), tranzystory bipolarne (np.HBT), układy scalone, lasery, fotokatody, baterie słoneczne, detektory podczerwieni.
OBNIŻONE CIŚNIENIE pozwala na: - redukcję prawdopodobieństwa zderzeń skutecznych między molekułami reagentów w trakcie ich transportu do komory reakcyjnej, - ograniczenie zjawiska konwekcji -epitaksja kontrolowana jest przez kinetykę procesów powierzchniowych.
PYROLIZA PREKURSORÓW>>adsorpcja reagentów na powierzchni podłoża>>reakcje chemiczne prowdzące do krystalizacji warstwy>>wzrost warstwy>> desorpcja zbędnych produkótw reakcji.
GRUBOŚĆ WARSTWY GRANICZNEJ – zależy od współczynnika dyfuzji, lepkości gazu i prędkośći gazu w reaktorze.
GŁÓWNY PROBLEM: niska stabilność termiczna i czasowa związków metaloorganicznych (polimeryzacja, hydroliza itp.)
MODYFIKACJE: 1. MO CVD ze źródeł jednoskładnikowych: proszki, pręty, roztwory (w rozpuszczalnikach organicznych, np. w heksanie) odparowywanie „błyskowe” niewielkich ilości prekursora w rozgrzanych do wysokich temperatur parownikach
2. Pulsed Injection MOCVD: impulsowe dozowanie niewielkich (~ mg) dawek roztworów prekursorów do parownika
12.12.2008. 11:23
Nad tym rewelacyjnym serwisem na pewno przesiedzisz bardzo wiele czasu: opony sosnowiec . Chodząc po globalnej sieci można wypatrzyć wiele różnorodnych witryn internetowych. Uważam, że ta Ci się spodoba: opony sosnowiec . Niedawno kumpel nakłonił mnie do obejrzenia tej strony: Administracja Nieruchomość Lublin. Buszując po globalnej sieci da się wynaleźć dużo wielorakich witryn internetowych. Wydaje mi się, że ta będzie perfekcyjna: Język angielski. Nie zapomnij odwiedzić moją zaprzyjaźnioną stronę internetową: perfumy damskie.Spis treści
- Granice i bariery rozwoju
- Modyfikacje warstw
- Ultracienkie warstwy
- Rozdzielczość układów optycznych
- Techniki litograficzne